СИ7119ДН-Т1-ГЕ3 МОСФЕТ -200В Вдс 20В Вгс ПоверПАК 1212-8
♠ Опис производа
| Атрибут производа | Вредност атрибута |
| Произвођач: | Висхаи |
| Производ Категорија: | МОСФЕТ |
| РоХС: | Детаљи |
| технологија: | Si |
| Стил монтаже: | СМД/СМТ |
| Пакет/футрола: | ПоверПАК-1212-8 |
| Поларитет транзистора: | П-канал |
| Број канала: | 1 Цханнел |
| Вдс - напон квара одвод-извор: | 200 В |
| Ид – континуирана струја одвода: | 3.8 А |
| Рдс Он - Отпор одвод-извор: | 1,05 Охма |
| Вгс - напон излаза-извора: | - 20 В, + 20 В |
| Вгс тх - гранични напон улаз-извор: | 2 В |
| Кг - Наплата улаза: | 25 нЦ |
| Минимална радна температура: | - 50 Ц |
| Максимална радна температура: | + 150 Ц |
| Пд - расипање снаге: | 52 В |
| Режим канала: | Енханцемент |
| Трговачко име: | ТренцхФЕТ |
| Паковање: | Реел |
| Паковање: | Цут Тапе |
| Паковање: | МоусеРеел |
| Марка: | Висхаи Семицондуцторс |
| Конфигурација: | Једно |
| Јесење време: | 12 нс |
| Предња транспроводљивост - мин: | 4 С |
| Висина: | 1,04 мм |
| дужина: | 3,3 мм |
| Врста производа: | МОСФЕТ |
| Време пораста: | 11 нс |
| Серија: | СИ7 |
| Фабричка количина паковања: | 3000 |
| поткатегорија: | МОСФЕТс |
| Тип транзистора: | 1 П-канал |
| Типично време кашњења искључивања: | 27 нс |
| Типично време кашњења укључивања: | 9 нс |
| ширина: | 3,3 мм |
| Парт # Алиасес: | СИ7119ДН-ГЕ3 |
| Јединица тежине: | 1 г |
• Без халогена У складу са ИЕЦ 61249-2-21 Доступан
• ТренцхФЕТ® Повер МОСФЕТ
• ПоверПАК® пакет ниске топлотне отпорности са малом величином и ниским профилом од 1,07 мм
• 100 % УИС и Рг тестирани
• Активна стезаљка у средњим ДЦ/ДЦ изворима напајања
